### AP20N03P-VB MOSFET 产品简介AP20N03P-VB是一款单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO220封装。利用先进的Trench（沟槽）技术设计
2024-12-17 11:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AP09N20BGH-HF-VB 产品简介AP09N20BGH-HF-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的沟道技术（Trench），具备高电压承受能力和低导通电阻的特点。该
2024-12-16 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP20T03GH-VB 产品简介AP20T03GH-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于要求高功率密度和低导通电阻的应用。其采用先进的沟槽型技术，结合优化的封装
2024-12-17 11:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AP20P02J-VB** 是一款单P-沟道功率MOSFET，采用TO251封装。该器件具有低漏源电压承受能力（-30V）和高电流处理能力（-20A），适合要求高效能量传输和中低
2024-12-17 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP18N20GP-HF-VB 产品简介AP18N20GP-HF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO220封装，专为高电压和高电流应用设计。其先进的沟槽型技术和低导通电阻使其
2024-12-16 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP20T03GH-HF-VB 产品简介AP20T03GH-HF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术（Trench Technology）。它在30V的电压下能够提供
2024-12-17 11:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP20N15AGP-HF-VB MOSFET 产品简介AP20N15AGP-HF-VB是一款单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO220封装。采用先进的Trench
2024-12-17 11:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP18N20GS-HF-VB 产品简介AP18N20GS-HF-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术制造，设计用于需要高电压和高电流处理能力的应用。该器件封装
2024-12-16 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP15T20GH-HF-VB 产品简介AP15T20GH-HF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装，设计用于要求高电压承受能力和低导通电阻的应用。其先进的沟槽型
2024-12-16 17:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP09N20J-HF-VB 产品简介AP09N20J-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO251，采用沟槽工艺技术。该器件适用于中高压应用，具有良好的导通性能和稳定性
2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
