### 一、IPS05N03LBG-VB 产品简介IPS05N03LBG-VB 是一款高性能单通道 N 型 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高效低电压、大电流应用设计。其具有 30V 的漏
2025-09-02 09:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPS110N12N3 G-VB 产品简介IPS110N12N3 G-VB 是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-251封装,基于Trench技术制造。这款MOSFET 具有100V
2025-09-02 09:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPS118N10N G-VB 产品简介IPS118N10N G-VB 是一款采用 TO251 封装的高性能单通道 N 型 MOSFET,设计用于高电流应用场景,能够承受 100V 的漏
2025-09-02 10:00 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介:**IPS50R520CP-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装类型为TO251,采用先进的超结(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技术,适合高压电源应用。它具有650V的漏源极
2025-09-02 10:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介:IPS075N03L G-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO251 封装和先进的 Trench 技术,适合高效能量传输和开关控制的应用。其漏源电压 VDS 为
2025-09-02 09:55 微碧半导体VBsemi 企业号