电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>IPD30N08S2</b>-22-VB 品牌：微碧

### 一、IPD30N08S2-22-VB 产品简介IPD30N08S2-22-VB 是一款采用 TO252 封装的 N 沟道功率 MOSFET，具有高电压耐受性和高效率的特性。该器件的漏源电压

2025-08-26 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPD50N06S2</b>L-13-VB 品牌：微碧

### IPD50N06S2L-13-VB MOSFET 产品简介IPD50N06S2L-13-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，设计用于高效电源管理和开关

2025-08-27 10:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPD30N06S2</b>-23-VB 品牌：微碧

## 产品简介IPD30N06S2-23-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。该器件具有高电压、高电流和低导通电阻的特点，适用于各种功率控制和开关应用。其TO252封装形式适合于普通焊接工

2024-06-03 17:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPD26N06S2</b>L-35-VB 品牌：微碧

型号  IPD26N06S2L-35-VB丝印  VBE1638品牌  VBsemi参数说明    极性  N沟道 

2023-11-13 11:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPD30N03S2</b>L-10-VB 品牌：微碧

### IPD30N03S2L-10-VB 产品简介**IPD30N03S2L-10-VB** 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO252 封装，适用于需要高电流和低电阻

2025-08-26 17:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPD50N03S2</b>L-06-VB 品牌：微碧

### 一、IPD50N03S2L-06-VB 产品简介：IPD50N03S2L-06-VB 是一款采用TO252封装的单N沟道功率MOSFET，最大漏源电压（VDS）为30V，栅源电压（VGS

2025-08-26 18:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPD30N06S2</b>L-13-VB 品牌：微碧

该型号为VBsemi品牌的N沟道晶体管IPD30N06S2L-13-VB，丝印为VBE1638。其详细参数说明和应用简介如下   电压  60V 电流

2023-11-09 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPD50N06S2</b>-14-VB 品牌：微碧

**IPD50N06S2-14-VB 详细参数说明和应用简介：**- **参数：** - 丝印：VBE1615 - 品牌：VBsemi - 封装：TO252 

2024-02-19 17:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPD</b>90P04P4L-04 品牌：英飞凌

原装现货供应IPD90P04P4L-04支持验货、假一罚十、诚信下单欢迎质询

2023-02-23 11:51 誉诚实业 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>IPD</b>90P04P4L-04 品牌：

原装现货供应IPD90P04P4L-04支持验货、假一罚十、诚信下单欢迎质询

2023-02-17 14:17 誉诚实业 企业号