氮化镓电源方案功率通常达到65W、100W、120W等，氮化镓功率器件生产商英诺赛科推出INN650D260A氮化镓200w电源方案设计3C+2A多口输出。英诺赛科INN650D260A氮化镓
2023-08-08 21:28
在现代电子系统中，电力转换是最基本的组成部分之一。而功率晶体管则是这种电力转换的核心。随着科技的不断发展，我们需要更高性能的功率晶体管来支持更复杂的电子系统。本文将带你了解INN
2023-06-25 17:51
650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22
据麦姆斯咨询报道，美新半导体面向高端可穿戴市场推出业界最小尺寸的加速度传感器MC3672。以WLCSP 1.29 mm x 1.09 mm x 0.74 mm的超小封装，实现超低功耗（2.8uA@100Hz）、低噪声、集成数字输出的3轴加速度。
2021-03-06 10:06
!!销售/回收MG3671A信号源MG3671A小兵/罗S MG3670B/C-MG3671A/B-MG3672A----高频信号源MG3670B/C, MG3671A/B 和 MG
2009-02-05 11:19
不仅能为手机、平板、笔记本电脑提供快速充电，更高功率要求的家用设备同样适用！大联大诠鼎集团推出基于InnoGaN INN700D140C & INN700DA140C 设计的300W适配器电源方案，与常规Si MOS的适配器对比，功率密度提高8W/in^3
2024-06-21 10:24
大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW
2025-03-13 12:47
该研究指出，科学家为挑战铟含量极限，于是在氮化镓（GaN）上生长氮化铟（InN）单原子层，不过实验结果显示，铟的浓度含量一直停留在25% 到30%，而且无法继续上升，这显示铟含量受限并非受到环境影响，而是InN本身的限制机制。
2018-01-25 15:07
通常用于C++和C混合编程的时候，为了防止C++的编译器在编译C文件的时候出现错误。
2020-09-07 11:09
