【作者】：于克训;任章鳌;娄振袖;潘垣;【来源】：《湖北工业大学学报》2010年01期【摘要】：集成门极换向晶闸管(IGCT)是新型电力半导体开关,具有耐压高、电流大、开关频率高、开关损耗低等优越性
2010-04-24 09:07
IGCT 是一款导通状态损耗低的半导体开关，是中最高功率逆变器的理想选择;必须努力最大限度地提高功率输出和能源效率以提供有竞争力的产品的应用。虽然拓扑、开关频率和输出滤波器等特定应用方面是逆变器
2023-02-24 15:37
如果有在哪找
2017-05-09 00:02
一个普通而又平凡的清晨，你在舒适的空调温度下醒来。打开冰箱，取出食物做一顿美美的早餐；解锁充好电的手机，查看最新的资讯；来到公司后打开电脑，开启一天的工作。电力悄无声息地融入你的生活，伴你度过充实的一天。与此同时，来自火电、水电、核电以及风电、光伏发电的电能正被源源不断地输送到城市和乡村，供给传统的能源、机械、交通、制造产业，以及新兴的通信、航天、医疗、材料等高技术产业使用。但是，来自不同源头电...
2021-07-12 08:43
只是听说高通的肯定有了，IGBT、IGCT、特种电机这些咱们生产的还不够
2017-11-10 11:04
变频的这一环节：变频就是将工频的50、60HZ的交流电先整流成直流电，然后通过可控制门极的各类晶体管（IGBT，IGCT等）通过载波频率和PWM调节逆变为频率可调的波形类似于正余弦的脉动电，由于频率可...
2021-09-03 06:39
；西安电力电子技术研究所利用国外进口厚外延硅片也试制出了9A/300V MCT 样品。IGCT：集成门极换流晶闸管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors
2017-11-07 11:11
实验室制成了100mA/100V MCT样品；西安电力电子技术研究所利用国外进口厚外延硅片也试制出了9A/300V MCT 样品。 IGCT：集成门极换流晶闸管IGCT(Intergrated Gate
2017-05-25 14:10
。功率半导体器件从双极型器件(BPT、SCR、GTO)发展为MOS型器件(功率MOSFET、 IGBT、IGCT等)，使电力电子系统有可能实现高频化，并大幅度降低导通损耗，电路也更为简单。自上世纪80
2017-02-13 21:56
/dt已达 20 kV/s ，di/dt为2 kA/s； （4）开关速度快， 开关损耗小，开通时间约200ns，1 000 V 器件可在2 s 内关断； 2. IGCT（ Intergrated
2019-03-03 07:00
