、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。高压
2021-12-22 18:56
chip half bridge gate driver for the N-channel power MOSFET or IGBT.
2017-09-25 10:17
singlechip half bridge gate driver for the N-channel power MOSFET or IGBT.
2017-09-25 10:23
chip half bridge gate driver for the N-channel power MOSFET or IGBT. The high-side （floating） section is designed to stand a voltage rail up to 600 V
2017-09-25 10:14
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、简述大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的
2021-11-15 08:51
single-chip half-bridge gate driver for N-channel power MOSFET or IGBT.
2017-09-25 10:11
single-chip half-bridge gate driver for N-channel power MOSFET or IGBT.
2017-09-25 10:26
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、简述大家都知道，IGBT单管相当的脆弱，同样电流容量的
2021-11-08 14:21
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR
2012-07-25 09:49
`IGBT驱动电路 本文在分析了IGBT驱动条件的基础上介绍了几种常见的IGBT驱动电路，设计了一种基于光耦HCPL-316J的IGBT驱动电路。实验证明该电路具有良
2012-09-09 12:22
