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  • 网络安全之防火墙、IDS、IPS之间的区别

    我们可以用一个简单的比喻,描述三者的不同和关系——将网络空间比喻成一个大厦,那么防火墙相当于门锁,有效隔离内外网或不同安全域,IDS相当于监视系统,当有问题发生时及时产生警报,而IPS则是巡视和保证大厦安全的安保人员,能够根据经验,主动发现问题并采取措施。

    2019-07-31 11:48

  • IGBT关断过程的分析

    , MOSFET 的门极电压Vgs减小至Miller平台电压Vmr, 漏源电压Vds增大至Vds(max), 而漏源电流Ids保持不变. 由于Ib=Ids, BJT的集射极电流Ice受Ib控制, 所以,在IGBT关断td(off)和Δt过程中, Ice电流仍然保持

    2018-12-22 12:41

  • 基于maxCHD的冷端温度补偿偏差分析与研究

    针对maxCHD TCS系统的温度测量模件(iDS01-TC.E)在实际运行中出现的测量偏差现象进行分析及研究,并结合实际提出了针对性解决措施,为减小火电机组类似的测温偏差提供了借鉴和参考方案。

    2023-08-15 14:11

  • 探讨功率开关各部位传导损耗计算方法

    在实际的计算中重要的是:导通电阻的值根据Io值中的导通电阻来计算。一般情况下在MOSFET的技术规格书中会给出导通电阻RDS(ON)和IDS的曲线图,可以利用这些数据。

    2020-04-05 11:14

  • 三类信号放大电路设计赏析—电路精选(42)

    有扫描结果可以得到管子工作点的各项参数。为保证管子始终工作在线性放大区,选择直流工作点为VDS=5V,IDS=0.8A,VGS=-0.4V。 由模拟电子技术的知识可得,偏置电路可有两种形式:自偏压电路和分压式自偏压电路。

    2017-01-12 16:17

  • 场效应管和三极管有什么区别?

    现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转,就意味着管子趋于截止,漏-源极间电阻RDS增大,漏-源极间电流减小IDS

    2017-06-30 16:23

  • MOS晶体管I-V特性

    本章定性和定量分析MOS的电流IDS与栅源电压VGS、漏源电压VDS间的IV特性关系。NMOS的剖面结构图以及其电路符合如下图所示,由栅极(G),漏极(D)、源极(S)和基板(B)构成。当GS极加入

    2022-11-15 10:05

  • 基于CNN的网络入侵检测系统设计

    随着信息技术的飞速发展,网络安全问题日益严峻。传统的网络入侵检测系统(IDS)在应对复杂多变的网络攻击时,面临着误报率高、漏检率高和配置复杂等挑战。而机器学习技术的兴起,特别是深度学习技术,为网络

    2024-07-05 17:28