ICP（Iterative Closest Point迭代最近点）算法是一种基于轮廓特征或点集对点集的点配准方法如下图 这里有两个点集，红色部分和蓝色部分。ICP算法就是计算怎么把PB平移旋转，使PB和PR尽量重叠，并建立模型。
2017-11-16 16:58
ICP-RIE全称是电感耦合等离子体刻蚀机，是半导体芯片微纳加工过程中必不可少的设备，可加工微米级纳米级的微型图案。
2024-04-30 12:43
刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。湿法刻蚀各向异性较差，侧壁容易产生横向刻蚀造成刻蚀偏差，通常用于工艺尺寸较大的应用，或用于干法刻蚀后清洗残留物等。
2024-04-12 11:41
ICP1639 - DIE是一款三级砷化镓（GaAs）功率放大器单片微波集成电路（MMIC），工作频率为14.5 - 17.5GHz 。该功率放大器的脉冲饱和输出功率为39dBm，小信号增益为20dB 。
2025-04-22 18:15
ICONICRF公司的ICP1543是一款采用裸芯片形式的三级单片微波集成电路（MMIC）功率放大器，采用碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）技术制造。ICP1543的工作频率范围为12
2025-04-22 18:04
NICP的基本思想是，curr和ref的两个点在匹配时，不仅要距离接近，而且所在处的法向量方向也要相同。在匹配时，根据距离、曲率以及法向量进行筛选，并在优化变换参数时优化增加了法向量的参数。
2022-12-26 11:52
高度洁净的硅片是光伏电池与集成电路生产过程中的基本要求，其洁净度直接影响产品的最终性能、效率以及稳定性。硅片是由硅棒上切割所得，其表面的多层晶格处于被破坏的状态，布满了不饱和的悬挂键，而悬挂键的活性较高，极易吸附杂质粒子，从而导致硅片表面被污染且性能变差，比如颗粒杂质会导致硅片的介电强度降低，金属离子会增大光伏电池P-N结的反向漏电流和降低少子的寿命等。当前越来越多的新材料被广泛使用至光伏/半导体制造工艺的不同环节中，这可能会带来更多新材料成分的纳米颗粒潜在污染，亟需对硅片表面纳米颗粒进行尺寸和数量的表征。
2024-01-11 11:29
通过在每一帧扫描的开始和结束时刻联合优化两个姿势，并根据时间戳进行插值，使扫描进行弹性变形以与地图(白点)对齐，从而创建连续时间扫描到地图的里程计。图片最下面下面说明轨迹具有扫描内姿势的连续性和扫描之间的不连续性。
2023-08-02 15:29
