型号: KF5N50DS-VB丝印: VBE165R05S品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 650V- 最大电流: 5A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 950m
2023-12-15 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、KF5N53F-VB 产品简介 KF5N53F-VB 是一款高性能的单通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装。该器件能够承受高达 650V 的漏极-源极电压
2025-09-15 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:KF5N53FS-VB 是一款高性能单极N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,设计用于650V的高压应用。该器件的栅源极电压(VGS)可达±30V,开启电压(Vth)为
2025-09-15 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、KF5N53DS-VB MOSFET 产品简介KF5N53DS-VB 是一款高电压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为高压应用设计。它具有 650V 的漏源电压
2025-10-10 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### KF5N50FS-VB MOSFET 产品简介:KF5N50FS-VB 是一款单极 N 通道功率 MOSFET,专为高电压和中等电流开关应用而设计。其最大漏源电压(VDS)为 650V,栅源
2025-09-15 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号
256)--->EP3C5F256AG6KF256(AG10KF256)--->EP4CE6F17AG10KF256--->EP3C10F256AG10KF256---
2021-11-23 13:38 深圳市致知行科技有限公司 企业号
### KF5N65D-VB MOSFET 产品简介:KF5N65D-VB 是一款单极 N 通道 MOSFET,专为高压开关应用而设计,采用 TO252 封装。该 MOSFET 的漏极-源极电压
2025-10-10 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### KF5N65F-VB MOSFET 产品简介:KF5N65F-VB 是一款单极 N 通道功率 MOSFET,专为高电压和中等电流开关应用而设计。其最大漏源电压(VDS)为 650V,栅源电压
2025-09-15 11:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### KF5N50FSA-VB MOSFET 产品简介:KF5N50FSA-VB 是一款单极 N 通道 MOSFET,专为高压开关应用而设计,采用 TO220F 封装。其漏极-源极电压(VDS
2025-09-15 11:16 微碧半导体VBsemi 企业号
AD9600是一款双核、10位、105 MSPS/125 MSPS/150 MSPS ADC,旨在支持要求低成本、小尺寸和多功能特性的通信应用。这款双核ADC采用多级、差分流水线架构,并集成了输出
2023-03-24 16:28 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号