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型号：<b class='flag-s-7'>HT8333-F</b> 品牌：

咨询请看首页产品概述：华太半导体优势供应HT8233LF，HT8333-F，HT8323F，HT8233LG，HT823

2025-05-20 15:50 华太半导体（深圳）有限公司 企业号

型号：BTL-<b class='flag-s-7'>0012</b>SMG 品牌：

     Marki Microwave 的 BTL-0012SMG 是频率为 500 kHz 至 12 GHz 的偏置三通，最大。电压 30 V

2023-05-09 14:03 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：KF12N<b class='flag-s-7'>68F</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介 — KF12N68F-VB MOSFETKF12N68F-VB 是一款高压单极性N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有650V的最大漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压

2025-09-15 10:46 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：QPD<b class='flag-s-7'>0012</b> 品牌：

QPD0012产品简介Qorvo 的 QPD0012 是采用 DFN 封装的双通道分立 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 2.5 至 2.7 GHz。该器件是用于 Doherty

2023-05-09 14:22 立年电子科技 企业号

型号：MABACT<b class='flag-s-7'>0012</b> 品牌：

  MABACT00121:1，磁通耦合巴伦，3-200MHzMACOM 的 MABACT0012 是一款采用低成本表面贴装封装的 1:1 RF 磁通耦合变压器。非常适合大容量

2023-04-19 15:44 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：KF10N<b class='flag-s-7'>68F</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介（KF10N68F-VB）KF10N68F-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压应用设计。其漏源电压（VDS）可达650V，漏极电流（ID）为10A

2025-09-15 10:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：QPA<b class='flag-s-7'>0012</b>D 品牌：

QPA0012D产品简介Qorvo 的 QPA0012D 是一款宽带 MMIC 低噪声分布式放大器，通过控制门实现 AGC。裸片形式的 LNA 在 2 至 22 GHz 带宽范围内运行

2023-04-13 14:14 立年电子科技 企业号

型号：PBR-<b class='flag-s-7'>0012</b> 品牌：

    Marki Microwave 的 PBR-0012 是一款功率分配器，频率为 300 KHz 至 12 GHz，插入损耗为 1.5 至 3 dB

2023-05-15 17:10 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：PBR-<b class='flag-s-7'>0012</b>SMG 品牌：

    Marki Microwave 的 PBR-0012SMG 是一款功率分配器，频率为 10 MHz 至 12 GHz，插入损耗为 1.7 至 3.5

2023-05-15 15:27 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：QPA<b class='flag-s-7'>0012</b>D 品牌：

 Qorvo 的 QPA0012D 是一款宽带 MMIC 低噪声分布式放大器，具有通过控制门的 AGC。裸片形式的 LNA 在 2 至 22 GHz 带宽上运行。QPA0012D 非常适合

2022-11-04 14:57 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号