switch replacement applicationsu Ultra Low power consumption at 3uA (Avg)u High ESD Protection, HMB > ±4KV( min )`
2017-07-04 17:43
UA超低功耗(Avg)高ESD保护，HMB>±4KV(Min)图腾极输出申请半导体开关手持无线手机唤醒开关(FlipCell/PHS电话/便笺簿/翻转视频集)电池动力装置用盖子闭合传感器低占空比应用中簧片开关更换的磁铁接近传感器水表浮表手提便携式Narrow-Band 窄（频）带
2018-12-19 10:19
用于输电线路的控制和保护。 该断路器为分相式结构，采用分相操动，配进口ABB的液压弹簧操动机构，其型号为：HMB-4。机构位于每相断路器本体的下方。灭弧室采用压气式结构，通过对电磁场和气流场的模拟计算，使
2023-03-08 15:13
的磁铁的绝对值l 工作电压可低至1.8V，微功耗l 高灵敏度的磁簧开关的替代应用l 多小尺寸的选择l 低灵敏度漂移温度的交叉。范围l 超低功耗5UA（平均）l 高ESD保护，HMB>
2018-06-04 08:59
。人体模型(HMB)和机器模型(MM)这两种最常见模型之间的区别主要在于串联电阻。人体模型的导电性没有金属那么好。 防止过压损坏的最佳保护措施是用非线性电路进行限压或钳位(图2)。最常用的是专门的二极管，当
2013-01-29 10:38
冲击的“受损”器件如下图。电荷的极性可以是正也可以是负，因此必须同时处理好正负 ESD 两种情况。 受损电路不同，对正负冲击的敏感性可能也有很大的不同，因此你需要同时处理好正负冲击。人体模型（HMB
2023-04-07 17:07
可靠性、功耗，以及成本上，软件定义均占有优势。” 阳学仕说。NVMe标准从1.0，到1.2、1.3始终坚持开放的策略，其中，类似HMB(Host Memory Buffer), CMB
2019-06-24 05:00
电压一般具有几个纳秒的上升时间和大约100纳秒的放电时间。受损电路不同，对正负冲击的敏感性可能也有很大的不同，因此你需 要同时处理好正负冲击。人体模型(HMB)和机器模型(MM)这两种最常见模型之间
2018-10-11 16:30
