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HKMG实现工艺的两大流派及其详解 随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技

2010-03-23 10:24

Gate，简称HKMG）工艺。HKMG工艺作为现代集成电路制造中的关键技术之一，对提升芯片性能、降低功耗具有重要意义。本文将详细介绍HKMG工艺的基本原理、分类

2025-01-22 12:57 北京中科同志科技股份有限公司 企业号

以往，具备低漏电、高性能特性的先进制程工艺多用于逻辑芯片，特别是PC、服务器和智能手机用CPU，如今，这些工艺开始在以DRAM为代表的存储器中应用，再加上EUV等先进设备和工艺的“互通”，逻辑芯片和存储器的制程节点和制造工艺越来越相近。

2022-11-17 11:10

目前，高K栅介质与金属栅极技术已广泛应用于 28mmn 以下高性能产品的制造，它在相同功耗情况下可以使集成电路的性能大幅度提高，泄漏电流大幅下降。

2022-11-18 11:13

本文主要讲述了28nm量产致胜关键在于HKMG。HKMG：high-k绝缘层+金属栅极。HKMG的优势：不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺，制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大

2012-07-15 00:25

该机构表示，目前已经在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5内存中发现了三星HKMG DDR5内存颗粒。该机构还预计HKMG将成为下一代DRAM行业的新标准。

2022-09-19 15:14

随着集成电路工艺技术不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成电路器件的特征尺寸不断按比例缩小，工作电压不断降低。为了有效抑制短沟道效应，除了源漏的结深不断降低和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层（Gate oxide）的厚度也在不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的控制能力，同时调节阈值电压。栅氧化层的厚度是随着栅极长度的减小而近似线性降低的，每一代大概是前一代的0.7倍左右，从而获得足够的栅控能力。另外，随着栅氧化层厚度的不断降低，MOS管的驱动能力也会相应提高。

2024-01-19 10:01

　　电子发烧友网讯：终于逮到机会评估前沿高端新技术。在众多的革新性工艺技术中，赛灵思和台积电首次将高K金属栅极（HKMG）技术应用到FPGA中尤其是其中的佼佼者。现在就让电子

2012-04-13 16:09

电子发烧友网讯：纳米电子研究中心IMEC （Leuven， Belgium） 正评估用未来新型三极管替代金属栅极（RMG）技术和当前高K金属栅极 （HKMG） 架构的使用状况。

2012-06-14 11:45

2012年3月22日，中国上海——GLOBALFOUNDRIES今日宣布，其在德国德累斯顿的Fab1工厂已经出货了超过25万个基于32纳米高K金属栅制程技术（HKMG）的半导体晶圆。这一里程碑体现了GLOBALFOUNDRIE

2012-03-23 08:39