特点 精确的复位阈值:±2.5% 提供两种复位输出: -CMOS输出(CN809/CN810) -漏极开路输出(CN803) 最小140ms的复位脉冲宽度 
2025-02-17 13:58 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 产品简介`042NE7NS3-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8 (5X6) 封装技术,适用于各种高效电力转换和管理应用。### 详细参数说明- **替代
2024-07-02 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 440N10NS3-VB DFN8(5X6) MOSFET 产品简介440N10NS3-VB 是一款单通道 N 沟道场效应管,采用 DFN
2024-11-08 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介520N15NS3-VB是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,具有高性能和可靠性,适合于需要高效能功率开关的应用场合。### 详细参数
2024-11-14 11:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### 340N08NS3-VB MOSFET 产品简介**型号:** 340N08NS3-VB **封装:** DFN8(5X6) **配置:
2024-11-06 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 PEAFS3-14-0R2535R0-6R5-23-12-292MF 是一款 8 至 18 GHz 低噪声放大器,可提供超过 13 dB 的增益,最大增益平坦度为 ±1 dB;噪声系数为 4 dB
2024-10-14 10:57 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介110N06NS3-VB是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用DFN8(5x6)封装。该器件具有较高的漏源电压和较低的导通电阻,非常适合于电源管理和高效转换应用。其紧凑的封装
2024-07-05 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 240N12NS3-VB DFN8(5X6) 产品简介240N12NS3-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了沟槽技术制造,具有低导通电阻和高电流处
2024-07-10 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 900N20NS3-VB MOSFET 产品简介900N20NS3-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装为 DFN8 (5
2024-11-22 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 084P03NS3-VB MOSFET产品简介**084P03NS3-VB**是一款高性能单P沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,具备-30V的漏源极
2024-07-03 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号