电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>CN803R</b> 品牌：

特点 精确的复位阈值：±2.5%  提供两种复位输出： -CMOS输出(CN809/CN810) -漏极开路输出(CN803)  最小140ms的复位脉冲宽度 

2025-02-17 13:58 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号

型号：BSZ22DN20<b class='flag-s-7'>NS3</b> G-VB 品牌：微碧

封装在紧凑的DFN8（3x3）封装中，适用于空间受限的应用。BSZ22DN20NS3 G-VB 采用先进的沟槽技术，具有高电压承受能力和较低的导通电阻，能够满足各

2025-01-10 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：440N10<b class='flag-s-7'>NS3</b>-VB 品牌：微碧

### 440N10NS3-VB DFN8(5X6) MOSFET 产品简介440N10NS3-VB 是一款单通道 N 沟道场效应管，采用 DFN8(5X6) 封装，适

2024-11-08 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：340N08<b class='flag-s-7'>NS3</b>-VB 品牌：微碧

### 340N08NS3-VB MOSFET 产品简介**型号:** 340N08NS3-VB  **封装:** DFN8(5X6)  **配置:** 单N沟道  

2024-11-06 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：042NE7<b class='flag-s-7'>NS3</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介`042NE7NS3-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8 (5X6) 封装技术，适用于各种高效电力转换和管理应用。### 详细参数说明- **替代

2024-07-02 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BSZ120P03<b class='flag-s-7'>NS3</b> G-VB 品牌：微碧

采用DFN8（3x3）封装，尺寸小巧，适合空间受限的应用环境。BSZ120P03NS3 G-VB 采用先进的沟槽技术，具备低导通电阻和优良的功率处理能力，能够满足

2025-01-10 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BSZ340N08<b class='flag-s-7'>NS3</b> G-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**型号：BSZ340N08NS3 G-VB**- **封装类型**：DFN8 (3x3)- **配置**：单N沟道MOSFET- **技术**：沟槽式BSZ340N08

2025-01-10 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：900N20<b class='flag-s-7'>NS3</b>-VB 品牌：微碧

### 900N20NS3-VB MOSFET 产品简介900N20NS3-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 Trench 技术制造，封装为 DFN8 (5X6)。它具有200V 的漏源

2024-11-22 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：084P03<b class='flag-s-7'>NS3</b>-VB 品牌：微碧

### 084P03NS3-VB MOSFET产品简介**084P03NS3-VB**是一款高性能单P沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)封装，具备-30V的漏源极电压（VDS）和±20V的栅源

2024-07-03 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BSZ110N06<b class='flag-s-7'>NS3</b> G-VB 品牌：微碧

### 一、BSZ110N06NS3 G-VB 产品简介BSZ110N06NS3 G-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(3X3)封装。这款产品具有

2025-01-10 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号