特点 精确的复位阈值:±2.5% 提供两种复位输出: -CMOS输出(CN809/CN810) -漏极开路输出(CN803) 最小140ms的复位脉冲宽度 
2025-02-17 13:58 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 440N10NS3-VB DFN8(5X6) MOSFET 产品简介440N10NS3-VB 是一款单通道 N 沟道场效应管,采用 DFN8(5X6) 封装,适
2024-11-08 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介`042NE7NS3-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET,采用DFN8 (5X6) 封装技术,适用于各种高效电力转换和管理应用。### 详细参数说明- **替代
2024-07-02 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
特点◼ 高数据速率:5V电源时10Mbps◼ 30/50ns(最大)Tx/Rx传播延迟;6ns(最大)倾斜◼ 完全故障保护(开路、短路、端接)接收器◼ 总线上最多256个节点(1/
2024-07-09 13:37 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 340N08NS3-VB MOSFET 产品简介**型号:** 340N08NS3-VB **封装:** DFN8(5X6) **配置:** 单N沟道  
2024-11-06 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 900N20NS3-VB MOSFET 产品简介900N20NS3-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 Trench 技术制造,封装为 DFN8 (5X6)。它具有200V 的漏源
2024-11-22 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 084P03NS3-VB MOSFET产品简介**084P03NS3-VB**是一款高性能单P沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,具备-30V的漏源极电压(VDS)和±20V的栅源
2024-07-03 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号