### 产品简介`042NE7NS3-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8 (5X6) 封装技术，适用于各种高效电力转换和管理应用。### 详细参数说明- **替代
2024-07-02 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
特点 精确的复位阈值：±2.5% 提供两种复位输出： -CMOS输出(CN809/CN810) -漏极开路输出(CN803) 最小140ms的复位脉冲宽度
2025-02-17 13:58 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
ADCLK944BCPZ-R7 时钟分配器介绍及应用分析在高性能电子系统中，时钟信号的分配与同步至关重要。ADCLK944BCPZ-R7 是 Analog Devices 推出的一款高性能时钟分配器
2024-11-04 12:25 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、7P20G-TN3-R-VB型号的产品简介7P20G-TN3-R-VB是一款单P沟道功率MOSFET，适用于需要负载开关和功率控制的应用。采用Trench技术制造，封装在TO252外壳中
2024-11-21 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号
R7F7010323AFP#KA3是一款由Renesas Electronics America生产的高性能微控制器，当前市场上数量为6,703个。产品概述R7F7010323AFP#KA3是一款
2025-02-18 22:40 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
谷京代理TDK车规电容CGA2B3X7R1E224K050BB，100%原装正品现货库存，以下是主要参数介绍.制造商:TDK Corporation制造商TDK网站产品编号
2024-08-12 11:50 谷京科技代理村田TDK贴片电容 企业号
ADRF5730BCCZN-R7 产品概述ADRF5730BCCZN-R7是一款高性能的射频开关，专为宽带应用而设计，支持频率范围从DC至6GHz。该器件以其低插入损耗、高隔离度和快速切换速度而闻名
2024-10-15 23:24 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介BSC042NE7NS3 G-VB是一款高性能单管N沟道MOSFET，封装形式为DFN8 (5x6)。该MOSFET提供80V的漏极-源极耐压、20V的栅极-源极耐压，并具有3
2025-01-08 16:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 7N10L-TN3-R-VB MOSFET 产品简介7N10L-TN3-R-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于各种电子设备的电源管理和开关应用。该器件具有低导
2024-11-20 16:58 微碧半导体VBsemi 企业号
ADL8101ACPZN-R7 是 Analog Devices 生产的一款高性能 RF 放大器，专为宽带应用设计，适合用于无线通信和其他高频信号处理场合。该器件具有高增益、低噪声和宽频带特性，能够
2024-09-19 21:38 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
