• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • eNSP或HCL无法启动问题的解决方案

    不兼容的原因:eNSP支持Virtual Box是5.2.44;HCL支持的Virtual Box版本是6.0.14。

    2023-09-11 10:58

  • Win11、10下安装eNSP&HCL5.9.0,解决兼容问题

    推荐安装新版本HCL5.9.0版本,HCL5.9.0/5.8.0/5.5.0/5.3.0均可使用virtualbox5.2.44版本,与ensp兼容,HCL5.9.0新增基于Openwrt

    2023-07-31 15:24

  • HCL实验:配置VLAN+NAT模拟内外网

    本次实验需要构建模拟内外网,其中内网设置2个VLAN分别是VLAN10和VLAN20,最终连接到路由器,路由器作为内网出口连接外网,并且设计同在一个交换机下的两个VLAN以及增加一个扩展交换机下的VLAN连到路由器,实现同个VLAN的互通以及对外网10.0.0.254的互通,拓扑图如下。

    2023-05-05 14:23

  • Win11安装HCL模拟器出现设备启动失败的解决方法

    首先,本博主查阅了好多网上的解决方法,对我都没有任何的作用。其主要的问题还是电脑基于虚拟化的安全性没有关闭。

    2023-10-21 16:22

  • 如何在路由器进行单区域IS-IS的基本配置

    H3C HCL配置IS-IS基本配置实验

    2023-08-01 15:52

  • 硫化锌宽禁带材料的光学性能及其影响因素

    不同方法制备ZnS材料的光学性能差别较大。CVT制备技术采用ZnS粉末原料和气体输运剂如HCl、NH4Cl或I2等,易在ZnS晶体中引入不同程度的杂质缺陷,严重影响ZnS的光学透过性能,限制了该技术在红外光学领域的应用与进一步发展。

    2022-07-07 17:04

  • 金属湿法刻蚀

    但是,HCl为基体的刻蚀溶液,会严重地侵蚀Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe,使金属硅化物阻值升高。这就要求有一种刻蚀剂是无氯基体,而且对Ni(Pt)Si或Ni(Pt)SiGe无伤害、对金属选择性又高。这就是目前常用的高温硫酸和双氧水混合液

    2023-05-29 10:48

  • Tengine是什么?最好用的Arm嵌入式系统AI框架是它吗?

    现在,HCL计算库作为Tengine的插件,是性能最快的Arm CPU NN计算库,并且支持动态8位量化计算,精度几乎不变,相比于NCNN最快能带来2-3倍的性能提升,内存使用减少为三分之一。

    2018-09-21 11:26

  • 基于AT89C51单片机的LED汉字点阵滚动显示屏设计

    本产品采用以AT89C51单片机为核心芯片的电路来实现,主要由AT89C51芯片、时钟电路、复位电路、列扫描驱动电路(74HCl54)、16×16LED点阵5部分组成

    2019-10-04 16:56

  • 基于python netmiko模块实现对华三设备的管理

    华三路由器使用官方模拟器(HCL)实现,其中使用host(本地主机)与主机物理网卡进行桥接。Python安装在真实主机的一个Vmware虚拟机中,虚拟机也采用桥接模式与物理网卡桥接。

    2023-02-03 09:52