### AP9578GI-HF-VB 产品简介AP9578GI-HF-VB是一款单P沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件适用于中低功率电源管理和负载开关应用，具有负向漏极电压能力。采用
2024-12-25 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9577GI-VB 产品简介AP9577GI-VB 是一款高性能单 P 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于高功率负载开关和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有
2024-12-25 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9575GI-HF-VB 产品简介AP9575GI-HF-VB是一款单P沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件具有负向漏极电压能力，适用于中等功率电源管理和负载开关应用。利用
2024-12-25 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP40T10GI-VB 产品概述AP40T10GI-VB 是一款高性能单通道 N-Channel MOSFET，适用于中高压功率管理和高电流应用。采用 TO220F 封装，具有良好的散热
2024-12-18 16:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP30P10GI-VB 产品简介AP30P10GI-VB 是一款单P沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装。它具有高电压承受能力和低导通电阻，适合在需要控制负电压的电路中使
2024-12-17 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9412GI-VB 产品简介AP9412GI-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的Trench工艺制造，封装形式为TO220F。该器件具有低导通电阻、高电流能力以及较高
2024-12-23 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP90T03GI-VB 产品简介AP90T03GI-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和优秀的功率转换特性。适用于需要高效能和可靠性
2024-12-23 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介18N20GI-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用槽沟道技术，具有高达200V的漏极-源极电压（VDS）和20A的漏极电流（ID）能力。该器件在TO220F封装中
2024-07-08 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、9973GI-VB 产品简介9973GI-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装，设计用于高功率应用。利用先进的沟槽（Trench）技术，该器件提供了优异的导通特性
2024-11-26 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**15P15GI-VB**是VBsemi公司生产的高性能P沟道MOSFET产品。该产品采用TO220F封装形式，具有单P通道配置，适用于负载开关和电源管理
2024-07-08 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号
