作者：吴建军列数近年热门话题，5G、车联网和自动驾驶都在其中。然而，经过和这个行业的深度全方面接触，特别是和5GAA的主要车厂一直以来的双边合作，感觉这个话题还是有点众说纷纭，有必要拿来澄清和探讨下。
2019-07-19 07:37
的演变：双栅极、三栅极、π栅极、欧米茄栅极和栅极全能。双栅极和三栅极鳍式场效应晶体管因其结构简单且易于制造而很常见。 虽然GAA器件是在FinFET之前提出的，但后者更适合执行生产。 图2.
2023-02-24 15:25
):b5d0088b9-dirty裸机：裸机 2021.04.0-02204-gaa9b7b34b8e-脏在 TF-A 中，I2C4 通过以下方式解锁：DECPROT（STM32MP1_ETZPC_I2C4_ID
2023-01-03 07:45
公民宽带无线电服务技术介绍
2021-03-01 07:29
半导体发展至今，无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进，如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到现在的7nm（对应都是MOS管栅长），目前也有了很多实验室在进行一些更小尺寸的研究。随着MOS管的尺寸不断的变小，沟道的不断变小，出现各种问题，如短沟道效应（DIBL、迁移率退化…）、栅极漏电、泄漏功率大等诸多问题，原先的结构开始力不从心，没有办法从现有的工艺制程中得到优良的结果，于是各个专家大佬不断的从材料、结构、工艺这三个方面找花样，解决问题，为下一代的工艺制程提供方案。
2020-12-10 06:55
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造技术的日趋成熟,存储器价格会回稳.然而就DRAM市场来说,谁也不知道DRAM的供货何时才会稳定下来.再来看市场需求状况,虽然有些存储器市场分段的市场需求正在增长,但是这些分段的增长幅度并不高,可见主要的问题是来自于供给侧.
2019-07-16 08:50
请问一下GaN器件和AMO技术能实现高效率和宽带宽吗？
2021-04-19 09:22
请问摩尔定律死不死？
2021-06-17 08:25
:speech_commands_recognitionI (718) cpu_start: App version:v0.3.0-137-gaa36390-dirtyI (724) cpu_start: Compile time
2023-03-13 08:47
目前，已经可以在1.2V 65nm CMOS技术的基础上实现8Vpp和脉冲宽度调制射频高压/大功率驱动器。在0.9到3.6GHz的工作频率范围内，该芯片在9V的工作电压下可向50Ω 负载提供8.04Vpp的最大输出摆幅。这使得CMOS驱动器能够直接连接并驱动LDMOS和GaN等功率晶体管。该驱动器的最大导通电阻为4.6Ω。2.4GHz时所测量的占空比控制范围为30.7%到71.5%。采用通过使用新型薄氧化层漏极延伸MOS器件，该驱动器可实现可靠的高压操作，而这一新型器件通过CMOS技术实现时无需额外的费用。那么，我们该如何利用射频功率放大器驱动器实现无线系统呢？
2019-07-31 06:07
