半导体工艺制程在进入32nm以下的节点后，每一步都历尽艰辛，传统的工艺技术已经无法满足7nm以下的制程了。好在FinFET之后，又带来了全新的GAA工艺；而5nm之后的时代，全新GAA技术有望延续现有半导体技术路线的寿命。
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本文介绍了当半导体技术从FinFET转向GAA（Gate-All-Around）时工艺面临的影响。
2025-05-21 10:51
GAA，一般指全环绕栅极晶体管(Gate-All-Around FET)。GAA被广泛认为是鳍式结构(FinFET)的下一代接任者。下面简单介绍一下GAA器件集成工艺与关键挑战。
2023-08-22 10:16
来自复旦大学微电子学院的消息，该校周鹏团队针对具有重大需求的3－5纳米节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0．6 ／1．2纳米的围栅多桥沟道晶体管（GAA，Gate All Around），实现了高驱动电流和低泄漏电流的融合统一，为高性能低功耗电子器件的发展提供了新的技术途径
2020-12-24 12:38
随着GAA FET（全环绕栅极晶体管）逐渐取代3nm及以下的finFET（鳍式场效应晶体管），芯片行业已经准备好迎接晶体管结构的另一次变革，这给设计团队带来了一系列需要充分理解和解决的新挑战
2021-09-23 15:58
一篇拆解报告，称比特微电子的Whatsminer M56S++矿机所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工艺。这一发现证实了三星3nm GAA技术的商业化应用。
2023-07-21 16:03
Intel之前已经宣布在2021年推出7nm工艺，首发产品是数据中心使用的Ponte Vecchio加速卡。7nm之后的5nm工艺更加重要了，因为Intel在这个节点会放弃FinFET晶体管转向GAA晶体管。
2020-03-11 09:51
三星电子(Samsung Electronics)计划于2021年量产FinFET电晶体架构的后继产品——采用3nm制程节点的环绕式闸极(gate-all-around；GAA)电晶体。
2018-05-30 11:37
虽然只有12年的历史，但finFET已经走到了尽头。从3nm开始，它们将被环栅 (GAA)取代，预计这将对芯片的设计方式产生重大影响。
2023-04-18 10:05
中国科学院大学集成电路学院是国家首批支持建设的示范性微电子学院。为了提高学生对先进光刻技术的理解，本学期集成电路学院开设了《集成电路先进光刻技术与版图设计优化》研讨课。
2023-06-13 16:27
MR042A1R4GAA - Radial Leads/Ceralam - AVX Corporation
2022-11-04 17:22
