1.概述W25N02KV(2G位)SLC QspiNAND闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。W25N QspiNAND系列融合了流行的SPI接口和传统的大NAND非易失性存储器空间
2024-03-26 18:27 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W25N01GV(1G位)串行SLC NAND闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。W25N SpiFlash系列融合了流行的SPI接口和传统的大NAND非易失性存储器空间
2024-03-25 14:49 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比,DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户
2023-07-13 11:31 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
DS28E80为用户可编程非易失存储器芯片。与浮栅存储单元相比,DS28E80采用了耐γ辐射的存储单元技术。DS28E80具有248字节用户
2023-07-13 17:01 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
存储器可多次编程的特性给用户提供了较大的方便。存储器方面,还包含了一个 RAM 数据存储器和一个可用于存储序号、校准数据等非易失性数据的 True EEPROM
2023-02-27 15:57 深圳市众泰电子有限公司 企业号
2.7V至3.6V的单一电源上工作,在3V和20uA的CMOS待机电流下,有源电流消耗低至25mA。存储器阵列总计1107296256个字节,并被组织成135168
2024-03-28 11:14 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号