型号 FDT86113LZ丝印 VBJ1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 5A 导通电阻 100mΩ@10V, 120m
2023-11-02 11:37 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：FDT439N-VB丝印：VBJ1322品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：30V- 额定电流：7A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：25mΩ @ 10V, 38m
2023-12-22 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
MX29GL128FDT2I-11G 产品概述MX29GL128FDT2I-11G 是由 Macronix 生产的一款高性能 NAND Flash 存储器，具有 128Mb（16MB
2024-11-10 19:31 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号：FDT434P-NL-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：- P沟道- 工作电压：-40V- 工作电流：-6A- 开通电阻：42mΩ（@10V），49mΩ（@4.5V）- 门楼电压
2023-12-13 11:40 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：FDT3612-VB丝印： VBJ1101M品牌： VBsemi封装： SOT223详细参数说明：沟道类型（Channel Type）： N—Channel最大漏电流（Maximum
2024-01-02 11:41 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: FDT458P-NL-VB丝印: VBJ2456品牌: VBsemi封装: SOT223沟道类型: P—Channel最大电压(VDS): -40V最大电流(ID): -6A导通电阻(RDS
2024-01-03 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
