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2019-07-03 08:00
SUPERFETII MOSFET是安森美半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SUPERFETIIMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正（PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SUPERFET IⅡ FRFET MOSFET优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。
2022-10-14 16:42
反向初始的设定值REV_INIT_SETPTFCH外环设定值的最大值REV_MAX_FCH_SET_PTFCH外环设定值的最小值REV_MIN_FCH_SET_PTFCH的Eb/Nt的最小值，FCH的Eb/Nt的最大
2009-06-10 14:46
FCH76N60N - N-Channel MOSFET - Fairchild Semiconductor
2022-11-04 17:22
FCH25N60N - N-Channel MOSFET - Fairchild Semiconductor
2022-11-04 17:22
FCH47N60N - N-Channel MOSFET - Fairchild Semiconductor
2022-11-04 17:22
FCH08A10 - Schottky Barrier Diode - Nihon Inter Electronics Corporation
2022-11-04 17:22
FCH10U10 - Schottky Barrier Diode - Nihon Inter Electronics Corporation
2022-11-04 17:22
FCH30A15 - Schottky Barrier Diode - Nihon Inter Electronics Corporation
2022-11-04 17:22
FCH20A03L - Schottky Barrier Diode - Nihon Inter Electronics Corporation
2022-11-04 17:22
