SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 250 W;48V;2490 – 2690 兆赫GTRA262802FC 是一款 250 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率
2023-08-02 15:21 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 370 W;48V;2495 – 2690 兆赫GTRA263902FC 是一款 370 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管
2023-08-02 16:32 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号