(一)、期望的电路功能电容自举电路，通过单片机控制S_OUT为高低电平控制MOS管AOD424的开启关断，利用电容电压不能瞬变的特性，使Q10开启时，S_Boost_Out电压高于IN_VOLT，S_Boost_Out电压范围理论上应该在【IN_VOLT，IN_VOLT+12V】之间。（二）实测：IN_VOLT=24VS_OUT=0时，Q11、Q9不导通，——则MOS管AOD424栅极电压为0，MOS管不导通，自举电容C4左边电压为24V,右边电压为0；S_OUT=1时，Q11\Q9导通，——则MOS管AOD424栅极电压约为12V左右，MOS管导通，自举电容C4左边电压为24V,右边电压为12V；没有实现自举升压！自举电容C4用的是没有极性的普通贴片电容，用两个10uf/50v并联。第一次用自举电路，电路整体逻辑除了自举电容外都通了，现在我猜测是C4自举电容选型的问题，不知道对不对，希望能得到有经验伙伴的指导，感谢~第一次问问题，如果说的不好、不详细的，烦请各位指出来~
2019-06-18 14:00
测试开发过程是怎样的？开发系统时所面临的挑战有哪些？
2021-04-30 06:54
