*) DATA_FLASH_addr_0) = 0x00450000; // 首先写入 DFLASH_0.MCR.B.EHV = 1; // 开始程序运行 while
2023-05-17 08:20
= 0x00000005; /* Set EHV in MCR: Operation Start */ while(!CFLASH.MCR.B.DONE); /* Check DONE flag */ while
2022-12-08 08:18
C40_Ip_pFlashBaseAddress->MCR |= FLASH_MCR_EHV_MASK 在 PFLASH 写入 8 个字节后 ；它生成 HardFault_Handler 异常 我怎样才能不出错地使用这个功能？
2023-05-29 07:07
，E-07，E- 08，E-09，E-11，E-12。FTH-C 600V，1000V机型可实现：VW80300标准波形：HVPT-1，EHV-01，EHV-02，EHV- 03，
2019-04-19 17:55
。 我使用以下代码： 问题是，在将MCR [EHV]设置为1后，微观误差。奇怪的是MCR [RWE]设置为1，表示读取写入事件错误。我不明白为什么会这样。我正在尝试对没有程序代码（只有存储值
2019-06-27 16:11
*/ CFLASH.MCR.R = 0x00000005; /* 在 MCR 中设置 EHV：操作开始 */ while(!CFLASH.MCR.B.DONE); /* 检查 DONE 标志
2023-04-26 08:38
; CFLASH.MCR.B.EHV = 1;while (CFLASH.MCR.B.DONE == 0){/* Wait until the MCR DONE = 1
2018-12-06 16:15
。什么是局部放电？局部放电被广泛认为是高压设备（MV，HV和EHV）长期退化和故障的主要原因。局部放电通常是在电极之间发生的小放电，但具体来说是在绝缘缺陷的位置。随着时间的流逝，由缺陷部位上不均匀的电应力
2020-11-11 11:19
测量；2. 对高电压大容量化蓄电池的性能评价；3. 对燃料电池的性能评价等。EV和EHV等使用的大型变频器，为了提高变频器转化功率，需要高精度地测量大电流的功率。但是，功率计单体对电流的输入是有限
2009-10-14 12:15
COMPENSATION光栅顶部补偿EAST/WEST TRAPEZIUM光栅梯形失真EEPROM电可檫可编程存储器EFFECT效果EHH;EHV高压对光栅行幅（场幅）的影响ENGLISH ONLY仅有英文
2009-05-18 19:19
