### RJK6012DPP-VB 产品简介RJK6012DPP-VB 是一款高电压单N通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于需要高电压和大电流的应用场合。该器件具备较低的导通电
2025-09-16 17:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### RJL5012DPP-VB 产品简介RJL5012DPP-VB 是一款高性能的单N通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压和高电流应用设计。该器件具有650V的最大漏极-源
2025-09-17 10:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### RJL6012DPP-VB 产品简介RJL6012DPP-VB 是一款高性能的单N通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,设计用于高电压和高电流应用。该器件具有650V的最大漏极-源
2025-09-17 10:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### RJK6066DPP-M0-VB 产品简介RJK6066DPP-M0-VB 是一款高电压单 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压应用设计。该器件具有 650V 的漏源
2025-09-17 10:29 微碧半导体VBsemi 企业号
**RJK5035DPP-E0-VB 产品简介:** RJK5035DPP-E0-VB是一款高性能单N通道MOSFET,采用TO220F封装,具备650V的漏源电压(VDS)和10A
2025-09-16 17:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### RJK5012DPP-VB 产品简介RJK5012DPP-VB 是一款高压 N-通道 MOSFET,封装形式为 TO220F,专为高电压和高电流应用设计。该器件能够承受高达 650V 的漏极
2025-09-16 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### RJK5026DPP-VB 产品简介RJK5026DPP-VB 是一款高压 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,专为要求高电压和中等电流的应用设计。其额定漏源电压
2025-09-16 17:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### RJK60S2DPP-E0-VB 产品简介RJK60S2DPP-E0-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压应用设计。该 MOSFET 的漏极源电压
2025-09-17 10:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### RJK5033DPP-M0-VB 产品简介RJK5033DPP-M0-VB 是一款高压 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为需要高电压操作的应用设计。该 MOSFET 的漏
2025-09-16 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号