通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6，用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻杂的产品，由于离子注入机需要“点”式扫描注入，即使在最高的离子束流下，工艺实施时间仍然较长，产出效率低。
2022-11-01 10:14
《仿真分析小技巧8》---巧妙利用.doping文件快速修改材料掺杂参数 由于所要进行仿真计算的器件层数、列数过多，每次修改某层材料掺杂参数后，生成mesh的过程中需要等待很长时间。为了解决这一
2020-04-07 15:49
2012-09-07 21:38
虽然纯硅的导电率低，但是有一个叫DOPING的技术可以提升半导体的导电率，比如说你注入价电子为5的磷，有一个电子将会在系统里自由移动，这被称为N型DOPING。
2020-09-29 17:47
在上一步使用命令 dasp 2 执行TSC模块时，会生成doping-Ga2O3/tsc目录，并在该目录中产生 2tsc.out 文件。等待程序执行完毕， 2tsc.out 有相应的完成标志。打开doping-Ga2O3/dasp.in，确认化学势已被程序自动输入
2023-04-27 10:47
Zerbst analysis, and determine doping profiles. [App Note 322]
2019-01-02 17:25
effects, such as the temperature-dependent refractive index distribution, absorbed pump power distribution, doping distribution, population
2011-01-05 17:13
倒掺杂阱（Inverted Doping Well）技术作为一种现代半导体芯片制造中精密的掺杂方法，本文详细介绍了倒掺杂阱工艺的特点与优势。 在现代半导体芯片制造中，倒掺杂阱（Inverted
2025-01-03 14:01
=0electrodename=drainx.min=2.5 y.min=0 y.max=0electrodesubstrate##*********** define the doping
2015-03-10 10:21
=0electrodename=drainx.min=2.5 y.min=0 y.max=0electrodesubstrate##*********** define the doping
2017-03-05 23:49
