通常，用射频电源产生高浓度等离子体电离掺杂气体，而用偏置电源加速离子去“轰击”圆片表面。最常用的 PLAD 掺杂气体为 B2H6，用于硼掺杂。对于需要非常高剂量的圆片摻杂的产品，由于离子注入机需要“点”式扫描注入，即使在最高的离子束流下，工艺实施时间仍然较长，产出效率低。
2022-11-01 10:14
《仿真分析小技巧8》---巧妙利用.doping文件快速修改材料掺杂参数 由于所要进行仿真计算的器件层数、列数过多，每次修改某层材料掺杂参数后，生成mesh的过程中需要等待很长时间。为了解决这一
2020-04-07 15:49
虽然纯硅的导电率低，但是有一个叫DOPING的技术可以提升半导体的导电率，比如说你注入价电子为5的磷，有一个电子将会在系统里自由移动，这被称为N型DOPING。
2020-09-29 17:47
在上一步使用命令 dasp 2 执行TSC模块时，会生成doping-Ga2O3/tsc目录，并在该目录中产生 2tsc.out 文件。等待程序执行完毕， 2tsc.out 有相应的完成标志。打开doping-Ga2O3/dasp.in，确认化学势已被程序自动输入
2023-04-27 10:47
倒掺杂阱（Inverted Doping Well）技术作为一种现代半导体芯片制造中精密的掺杂方法，本文详细介绍了倒掺杂阱工艺的特点与优势。 在现代半导体芯片制造中，倒掺杂阱（Inverted
2025-01-03 14:01
（implantation）环节建模；为器件行为建模的工具则被称为“器件TCAD”，例如对掺杂形态（doping profile）的建模。
2019-02-19 14:17
不同 功率二极管和普通二极管的结构有所不同。普通二极管的结构相对简单，它由两个不同导电性质的半导体材料组成，也就是doping（掺杂）。一个区域（p区）富含正电荷（空穴），另一个区域（n区）富含负电荷（电子）。这两个区域之间有
2023-09-02 11:08
性能调控方面取得进展，相关成果以“Tungsten donors doping in β-gallium oxide single crystal”为题发表于Applied Physics
2025-02-28 06:22
