MK20DN512VLL10是一款由NXP Semiconductors生产的微控制器芯片,属于Kinetis K20系列。该微控制器采用Arm Cortex-M4内核,适用于低功耗、实时控制
2024-04-25 12:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、22DN20N-VB 产品简介22DN20N-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为DFN8(3X3),采用了Trench技术,具有中压(200V)和中电流(9.3A)处理能力。该
2024-07-09 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的12DN20N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有200V的漏极-源极电压(VDS)和20V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电
2024-07-05 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:22DN20NS3-VB**VBsemi的22DN20NS3-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造。它具有200V的漏源电压、30A的漏极
2024-07-09 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSZ22DN20NS3 G-VB MOSFET 产品简介BSZ22DN20NS3 G-VB 是英飞凌(Infineon Technologies)推出的一款高性能N沟道MOSFET。该器件
2025-01-10 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**型号:BSZ12DN20NS3 G-VB**- **封装类型**:DFN8 (3x3)- **配置**:单N沟道MOSFET- **技术**:沟槽式BSZ12DN20
2025-01-10 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSC12DN20NS3 G-VB 是一款高电压、高功率单N沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装。设计用于处理高电压和大电流应用,BSC12DN20NS3 G-VB 的漏
2025-01-08 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
AT93C46DN-SH-T EEPROM 详解与应用在电子产品设计中,非易失性存储器的选择对系统的稳定性和可靠性至关重要。AT93C46DN-SH-T是美国微芯科技(Microchip
2024-11-05 10:02 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
## 产品简介:VBsemi的MOSFET产品12DN20NS3-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术,具有200V的漏极-源极电压(VDS)和30A的漏极电流(ID)能力。该产品
2024-07-05 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号