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型号：AP<b class='flag-s-7'>1203</b>GMT-VB 品牌：微碧

### AP1203GMT-VB 产品简介AP1203GMT-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为DFN8(5X6)，采用沟槽工艺技术。该器件具有低导通电阻和高漏源极电流能力，适合需要

2024-12-16 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>1203</b>GM-VB 品牌：微碧

### AP1203GM-VB MOSFET 产品概述AP1203GM-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，设计用于低电压高电流应用。具有低导通电阻和高效能特性，适合要求

2024-12-16 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>DK</b>-DEV-5SGSMD5N 品牌：

DK-DEV-5SGSMD5NDK-DEV-5SGSMD5N 开发板介绍DK-DEV-5SGSMD5N 是一款高性能的开发板，专为数字信号处理和嵌入式系统应用设计。它具备强大的计算能力和多种接口

2024-04-30 10:38 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>DK</b>-SOC-1SSX-H-D 品牌：

DK-SOC-1SSX-H-D 开发板介绍DK-SOC-1SSX-H-D 是一款专为系统级芯片（SoC）开发设计的评估开发板，适用于嵌入式系统和物联网应用。它提供了强大的处理性能和多种接口，帮助

2024-04-25 09:51 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>DK</b>-100G-5SGXEA7N 品牌：

DK-100G-5SGXEA7NDK-100G-5SGXEA7N开发套件详解什么是DK-100G-5SGXEA7N？DK-100G-5SGXEA7N是一款由英特尔推出的高性能FPGA开发套件，专为

2024-08-31 18:50 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：D<b class='flag-s-7'>1203</b>UK 品牌：

D1203UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。D1203UK特征简化的放大器设计适用于宽带应用低温RSS简单的偏置电路低噪声高增益 – 最小 16 dB 

2022-06-27 21:45 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>DK</b>065G 品牌：

高性能AC-DC氮化镓电源管理芯片-DK065G一、产品概述：DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK065G检测功率管漏极和源

2025-01-10 17:02 东莞市中铭电子 企业号

型号：P<b class='flag-s-7'>1203</b>ED-VB 品牌：微碧

根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 P1203ED-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** P1203ED-VB**丝印：** VBE2311**品牌：** VBsemi

2023-12-18 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CHV<b class='flag-s-7'>1203</b>-FAB 品牌：

CHV1203 -FAB是一款低相位噪声 S 波段 HBT 压控振荡器，集成了负电阻、变容二极管和缓冲放大器。它在 100kHz 偏移时提供 108dBc/Hz 的出色相位噪声。它设计用于

2023-08-10 11:32 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>1203</b>GH-VB 品牌：微碧

### 产品简介：1203GH-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS）、1.7V的阈值电压（Vth）、9m

2024-07-05 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号