ESD3.3V88D-LA设计用于保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。优异的夹紧能力、低泄漏和快速响应时间,使这些部件非常适合于用作有效的电路板ESD防护设计。ESD3.3V88D-LAESD3.3V88D-LA产品特性:1.每条线路40瓦峰值脉冲功率(tp=8/20µs)2.保护一条双向I/O线3.低箝位电压4.工作电压:3.3V5.低泄漏电流
2022-11-02 15:07 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
SMGS11砷化镓肖特基二极管SMGS11 是采用模塑塑料 DFN 封装的 GaAs 肖特基二极管。它专为宽带检测器和单二极管混频器而设计。它是单一配置。它具有高截止频率,可在 26.5 GHz
2023-02-13 15:08 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
SMS201硅肖特基二极管SMS201 是采用模制塑料 DFN 封装的硅肖特基二极管。它专为宽带零偏检测器而设计。它具有高截止频率,可在 26.5 GHz 以上用于高达 10 dBm 的功率检测
2023-02-13 15:06 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
### 产品简介**AON7406-VB** 是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适合需要高效能和高功率密度的电源管理和开关应用。### 详细
2024-12-07 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**AON7290-VB** 是一款单通道N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为DFN8(3X3)。它具有高达100V的最大漏源电压和最大50A的漏极电流承载能力
2024-12-07 17:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AON6906-VB** 是一款半桥式双N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,封装为DFN8(5X6)-C。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高效能和低损耗的半
2024-12-07 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**AON6790-VB** 是一款单N-沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为DFN8(5X6)。它具有极低的导通电阻和高达120A的最大漏极电流承载能力,适合需要
2024-12-07 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号