SuVolta公司展示其「深度耗尽通道」（ Deeply Depleted Channel；DDC ）技术在效能及功耗方面的优势。
2013-01-10 11:36
硅晶圆製造商Soitec SA公司声称，晶片製造商现在可以藉由转换到绝缘层上覆硅（SOI）晶圆，避免掉开发完全耗尽型（fully-depleted， FD）硅电晶体所需的数年研发时间，目前包括意法（
2012-04-19 13:34
意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42
日前，联华电子与SuVolta公司宣布联合开发28纳米工艺技术，该工艺将SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶体管技术集成到联华电子的28纳米High-K/Metal Gate高效能移动工艺。
2013-07-25 10:10
日前，意法半导体（ST）宣布位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术，这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技术的能力。
2012-12-14 08:45
