功能特征1、VDD=VDDQ=+1.5V±0.075V2、1.5V中心端接推/拉I/O(1)支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容3、差分双向数据选通4、8n位预取体系结构5、差分时钟输入(CK
2023-01-30 15:10 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号
1.概述W634GU6QB是一个4G位DDR3L SDRAM,组织为33554432个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-27 15:05 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GU6NB是1G位DDR3L SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该
2024-03-27 18:25 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时,可以参阅DDR3(1.5V)SDRAM(Die Rev:E)的数据表规格。功能特征1
2023-02-02 16:35 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号
1.概述W631GU6MB是1G位DDR3L SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该
2024-03-28 15:01 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号