JL-235CZ旋锁式智联光控开关适用于云端控制和自控模式。可运用于市政道路、园区照明、景观照明等。
2023-01-05 17:15
用两个普通二极管代替稳压管。任何二极管的正向压降都是基本不变的，因此可用二极管代替稳压管。2AP型二极管的正向压降约是0.3伏，2CP型约是0.7伏，2CZ型约是1伏。图中用了两个2CZ二极管作基准电压。
2019-01-10 12:17
对于OLED而言，发光层材料是决定其性能的关键因素，若要实现高效的电致发光，发光层材料必须要保证较高的光致发光效率。
2022-10-10 09:15
胆前级电路见附图，是常用的两级阻容耦合电压放大。电路中全部采用普通元器件，电源变压器是电子管收音机拆机品，型号DB-21-169型，性能可靠。全新的6N22只、6241只，6元左右，阻流圈用淘汰的8W日光灯镇流器代替，电阻用国产大红袍，电容用国产cz型，电解电容用国产天和牌。
2019-02-06 19:11
柴氏拉晶法（Czochralski method），简称CZ法。先将原料加热至熔点后熔化形成熔汤，再利用一单晶晶种接触到熔汤表面，在晶种与熔汤的固液界面上因温度差而形成过冷。于是熔汤开始在晶种表面
2017-05-20 10:25
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了湿式化学清洗过程对硅晶片表面微粒度的影响。结果表明，表面微粗糙度影响了氧化物的介电断裂~特性：随着硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微电击穿会降解。利用
2022-04-14 13:57
采用Czochralski法（CZ法）或区域熔炼法（FZ法） 晶圆的切割、抛光和清洗 2. 光刻技术 光刻是制造微型晶体管的关键步骤之一，它涉及到使用光敏材料（光刻胶）和光源（如紫外光）来转移图案到硅晶圆上。光刻过程包括： 涂覆光刻胶：在硅晶圆
2024-10-15 14:48
的不同阶段(镀覆前、镀覆Ni/P层完整后、镀覆Ni/P层去除后)Cz-Si晶片的质量，可以检测到40 纳米和80纳米±13纳米之间的平均硅蚀刻深度，ECV测量表明，对> 250 纳米的发射极的损伤甚至更高，直到浅发射极完全耗尽，SEM图像显示晶片表面的形态变化。
2022-05-07 13:22
，其输出端Q便输出一个宽度为Tw的高电平信号，Tw由定时电阻R（RPi、R2）和定时电容C（Cl、Cz、C3）决定，Tw一0.7RC，改变R、C的大小即可改变定时时间。
2018-05-11 11:55
