PMP10852 参考设计使用 LM5117、用于高侧 MOSFET 的 CSD18563 以及用于低侧 MOSFET 的 CSD18532 (x2)。PMP10852 接受 27V 至 41V
2008-10-07 11:24
PMP10852B 参考设计使用 LM5117、用于高侧 MOSFET 的 CSD18563 以及用于低侧 MOSFET 的 CSD18532 (x2)。PMP10852B 接受 27V 至 41V
2008-10-07 14:44
描述此参考设计通过 19V-30V 输入提供隔离式 12V/10A，效率高于 93%。此设计使用带有 CSD18532Q5B 同步整流器的 UCC2897A 有源钳位控制器来实现高效且具有成本效益的解决方案，该解决方案可通过 24VDC 输入总线运行。
2022-09-27 07:02
CSD18532NQ5B 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. C)
2022-11-04 17:22
CSD18532Q5B 60-V N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet (Rev. D)
2022-11-04 17:22
CSD18532KCS 60-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. B)
2022-11-04 17:22
描述PMP10852B 参考设计使用 LM5117、用于高侧 MOSFET 的 CSD18563 以及用于低侧 MOSFET 的 CSD18532 (x2)。PMP10852B 接受 27V 至
2019-01-02 16:14
描述 PMP10852 参考设计使用 LM5117、用于高侧 MOSFET 的 CSD18563 以及用于低侧 MOSFET 的 CSD18532 (x2)。PMP10852 接受 27V 至
2018-11-14 11:24
能力通过 TLV70433 从待机模式快速加电作为 TI 的低 Rdson 和低 Qg MOSFET，CSD18532 被选定用于控制切换和传导损耗
2018-11-20 11:48
TLV70433 从待机模式快速加电作为 TI 的低 Rdson 和低 Qg MOSFET，CSD18532 被选定用于控制切换和传导损耗
2022-09-19 06:12
