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  • Cree的SiC晶圆供应

    2018年model 3的数量是按照10多万的生产量,这个数据某种程度上快速在刺激SiC 的MOSFET市场,而接下来高端车型都是往超快充能力的车型即将交付(Taycan),由特斯拉的快速导入,一下子激发了竞争,以一己之力带动了整个车用SiC MOSFET的产业链。

    2019-01-18 11:44

  • CREE射频功放提高视频带宽降低记忆效应设计分析

    图2所示,fr表征的是晶体管输出段低频谐振频率,频率越高,VBW越宽,Ltot指得是供电线跟旁路电容组成的等效电感,Ctot指的是晶体管漏级之间的电容,因此在可操作性上提高VBW的措施是降低Ltot。

    2018-04-10 15:54

  • 浅析PCB布局设计与LED寿命的关系

    尽管LED通常是非常耐用的,但由于电应力的原因仍会发生故障。Mauro Ceresa是Cree的EMEA现场应用工程师,将涉及所有与电过应力有关的方面。

    2018-08-08 15:08

  • 引起LED光衰的主要原因是什么?

    1200小时亮灯后的光衰,最好的为8%,最差的为26%,平均为14%。按照Cree公司的测试结果,结温在105度时,14%光衰也应当要在工作了6000小时以后,可见大部分路灯的结温在105度以上。

    2018-09-14 15:45

  • 科锐Wolfspeed突破性动力传动技术为电动汽车带来性能突破

    科锐(Nasdaq: CREE)旗下Wolfspeed于近日宣布推出最新第三代1200V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列,为电动汽车动力传动系统带来性能突破。

    2018-07-19 10:17

  • MAX16800测试板

    MAX16800测试板是一款简单的高亮度LED驱动电路板,专为驱动欧司朗、Lumileds、Nichia、Cree等公司的LED而开发。测试板表明,MAX16800非常适合汽车内部和外部LED照明以及商业和工业LED照明。

    2023-02-21 17:30

  • 科锐推出新款高光效XP-G2 HE,性能更一步提升

    科锐(Nasdaq: CREE)宣布推出新款高光效版XLamp XP-G2 HE (High Efficacy) LED,在标准版XLamp XP-G2 LED基础之上进一步提升性能,提供更高光输出和更高效率,从而帮助实现体积更小、重量更轻、成本更低的方案设计。

    2018-07-24 11:52

  • 碳化硅电力电子器件的发展现状分析

    SiC电力电子器件中,SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品,美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。

    2016-08-22 18:40

  • 如何计算LED驱动电源的RMS真实有效值

    目前能够提供高质量合格LED芯片的主要还是几个国际知名公司如PHILIP,OSRAM和CREE等少数厂家,一般而言LED芯片很少有出现重大质量问题,现在市场上质量低劣的LED照明产品很大一部分在驱动电源上。

    2019-09-10 16:39

  • SiC肖特基二极管在太阳能系统的应用

    碳化硅(SiC)二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场,尤其是在欧洲。Cree的1200V SiC肖特基二极管已开始用来取代DC链升压电路所使用的硅(Si)PiN类设计,而且将很快出现在商用系统的逆变器领域。

    2020-10-02 17:21