 
                                                                                                
                                                                    **AP4435GJ-VB 详细参数说明和应用简介:****参数说明:**- 封装:TO251- 沟道类型:P-Channel- 额定电压(VDS):-30V- 额定电流(ID):-35A- RDS
2024-02-19 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
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2024-11-08 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    型号 CEM4435丝印 VBA2317品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 30V 额定电流 7A RDS(ON) 23mΩ @ 10V,29mΩ @ 4.5V,66m
2023-10-30 15:33 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    ### 一、4435GH-VB TO252 产品简介4435GH-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压(VDS),并具有 ±20V 的栅极
2024-11-08 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    AO4435 (VBA2317)参数说明:P沟道,-30V,-7A,导通电阻23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V,20Vgs(±V),阈值电压-1.37V,封装:SOP8
2023-12-06 11:57 微碧半导体VBsemi 企业号
 
                                                                                                
                                                                    深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。CJQ60P05 由于电子元器件价格因市场浮动,网站展示价格仅为参考价,不能作为最后成交价格,具体价格请与业务重新确认
2023-04-20 10:39 深圳市港禾科技有限公司 企业号