产品型号: Si2399CDS-T1-GE3-VB丝印: VB2355品牌: VBsemi参数: SOT23；P—Channel沟道，-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V
2024-04-07 11:12 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SI2312CDS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：- 封装：SOT23- 沟道类型：N—Channel- 额定电压：20V- 最大电流：6A- 开态电阻：RDS
2023-12-22 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SI2307CDS-T1-E3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 最大持续电流：-5.6A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-21 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)参数说明：极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6.5A；导通电阻：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs
2023-12-09 15:00 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SI2301CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：P沟道- 额定电压：-20V- 最大电流：-4A- 导通电阻（RDS(ON)）：57m
2023-12-15 09:20 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23
2023-12-09 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23
2023-12-09 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2333CDS-T1-GE3 参数：P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V), -0.81Vth(V), SOT23应用简介
2023-12-09 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2302CDS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装
2023-12-09 14:51 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23
2023-12-09 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
