型号：SI2307CDS-T1-E3-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 最大持续电流：-5.6A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-21 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: Si2399CDS-T1-GE3-VB丝印: VB2355品牌: VBsemi参数: SOT23；P—Channel沟道，-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V
2024-04-07 11:12 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SI2312CDS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：- 封装：SOT23- 沟道类型：N—Channel- 额定电压：20V- 最大电流：6A- 开态电阻：RDS
2023-12-22 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2323CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23
2023-12-09 15:03 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SI2301CDS-T1-GE3-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：- MOSFET类型：P沟道- 额定电压：-20V- 最大电流：-4A- 导通电阻（RDS(ON)）：57m
2023-12-15 09:20 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2305CDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明：P沟道，-20V，-4A，导通电阻57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，阈值电压-0.81V，封装：SOT23
2023-12-09 14:57 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2318CDS-T1-GE3 (VB1330)参数说明：极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6.5A；导通电阻：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V；门源电压范围：20Vgs
2023-12-09 15:00 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2319CDS-T1-GE3 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23
2023-12-09 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)参数说明：P沟道，-60V，-5.2A，导通电阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-2V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-09 14:59 微碧半导体VBsemi 企业号
SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下
2023-11-30 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
