### 产品简介BSH111-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封装为 SOT23-3。它设计用于中等电压和电流应用,具有较高的门槛电压和适中的导通电阻,适合用于各种小型开关电路和低
2025-01-09 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSH301-VB是一款高性能共源极配置N沟道MOSFET,封装形式为TSSOP8。该MOSFET支持20V的漏极-源极耐压和20V的栅极-源极耐压,具备0.5~1.5V的门槛电压
2025-01-09 11:29 微碧半导体VBsemi 企业号
**1. 产品简介:**BSH107-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET,封装为 SC70-6。采用 Trench 技术,具有低导通电阻和适中的电流承载能力,适合用于空间有限
2025-01-09 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介:**BSH112-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封装为 SOT23-3,适用于中等电压的小型开关应用。该 MOSFET 的 VDS(漏极-源极最大电压)为 60V
2025-01-09 11:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSH101-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET,封装形式为 SOT23-3。此器件专为低电流和中等电压应用设计,具有较高的漏极-源极耐压(60V)和较低的 RDS
2025-01-09 11:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSH207-VB** 是一款高性能单 P-Channel MOSFET,封装形式为 SOT23-6。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有较低的导通电阻和稳定的电流
2025-01-09 11:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSH204-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,适用于低电压电源开关和负载控制。它具备 -20V 的漏极-源极耐压、±12V 的栅极-源极耐压
2025-01-09 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSH121-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET,封装为SOT23-3。该MOSFET具有60V的漏源电压(VDS),并支持最大±20V的栅极源电压(VGS)。其
2025-01-09 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号