型号:BSH203-VB丝印:VB2355品牌:VBsemi封装:SOT23参数:- 沟道类型:P—Channel- 最大漏极电压:-30V- 最大漏极电流:-5.6A- 静态漏极-源极电阻:RDS
2024-03-15 11:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSH111-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封装为 SOT23-3。它设计用于中等电压和电流应用,具有较高的门槛电压和适中的导通电阻,适合用于各种小型开关电路和低
2025-01-09 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
BSH114 (VB1102M)参数说明:N沟道,100V,2A,导通电阻246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压2V,封装:SOT23。  
2023-12-06 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSH301-VB是一款高性能共源极配置N沟道MOSFET,封装形式为TSSOP8。该MOSFET支持20V的漏极-源极耐压和20V的栅极-源极耐压,具备0.5~1.5V的门槛电压
2025-01-09 11:29 微碧半导体VBsemi 企业号
**1. 产品简介:**BSH107-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET,封装为 SC70-6。采用 Trench 技术,具有低导通电阻和适中的电流承载能力,适合用于空间有限
2025-01-09 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
**BSH205-VB: P-Channel MOSFET**- **详细参数说明:** - 封装: SOT23 - 极限电压: -20V - 额定电流
2024-03-15 11:47 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi BSH102-VB**- **参数说明:** - 封装类型:SOT23 - 沟道类型:N—Channel - 最大耐压:30V - 最大电流
2024-03-15 11:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSH207-VB** 是一款高性能单 P-Channel MOSFET,封装形式为 SOT23-6。该 MOSFET 采用 Trench 技术,具有较低的导通电阻和稳定的电流
2025-01-09 11:27 微碧半导体VBsemi 企业号