在现代电子技术领域，半导体工艺的发展日新月异，其中BiCMOS技术以其独特的优势受到了广泛关注。BiCMOS技术是一种将CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极型晶体管（Bipolar
2024-05-23 17:05
1 深亚微米 BiCMOS[B] 技术 器件进入深亚微米特征尺寸，为了抑制 MOS 穿通电流和减小短沟道效应，深亚微米制造工艺提出如下严格的要求： （1）高质量栅氧化膜。栅氧化膜厚度
2018-03-16 10:29
结论 本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计，可在1.5V电压供电条件下正常工作，而且在负载电容为60pF的条件下，工作频率可达5MHz以上。
2018-01-08 09:27
在无线通信终端中，低噪声放大器是射频接收系统中的第一级有源电路，主要功能是放大天线从空中接收到的微弱信号，降低噪声干扰，以供系统解调出所需的信息 数据，低噪声放大器的设计对整个接收机来说是至关重要的。低噪声放大器在提供增益的同时，应尽可能地减少噪声，以及完成接收大信号不失真和好的线性度。
2017-12-10 15:19
随着无线通信事业的飞速发展，产生了多种通信技术标准，诸如Bluetooth，GSM，WiFi，ZigBee等，通信频率也从数百兆赫到数千兆赫不等。从应用成本和性能角度来看，由于调谐范围宽、可靠性高的射频(RF)芯片具有广泛的使用价值，所以是当前无线通信系统的设计热点之一。而作为无线RF收发芯片的核心部件的压控振荡器(VCO)，其性能好坏直接关系着RF芯片的质量。
2017-11-25 14:09
HMC684LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为0.7 - 1.0 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+30 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+25 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗典型值为7 dB。 DC至450 MHz的IF频率响应能够满足GSM/CDMA发射或接收频率规划要求。 HMC684LP4(E)与HMC685LP4(E)引脚兼容，后者是一款集成LO放大器的1.7 - 2.2 GHz混频器。
2025-04-02 11:11
HMC785LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为1.7至2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用具有+38 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1dB (+26 dBm)输入压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗为8 dB（典型值）。 高达300 MHz的IF频率响应可满足GSM/CDMA发射或接收频率计划要求。 HMC785LP4E针对1.7 - 2.2 GHz RF频段低端LO频率计划进行了优化，并与HMC685LP4E引脚兼容。
2025-04-02 14:21
HMC685LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为1.7 - 2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+32 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+27 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗典型值为8 dB。 DC至500 MHz的IF频率响应能够满足GSM/CDMA发射或接收频率规划要求。 HMC685LP4(E)与HMC684LP4(E)引脚兼容，后者是一款集成LO放大器的700 - 1,000 MHz混频器。
2025-04-02 11:15
HMC688LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为2.0 - 2.7 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+35 dBm的出色输入IP3下变频性能。
2025-04-02 13:53
HMC687LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为1.7 - 2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+35 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+23 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗典型值为8 dB。
2025-04-02 13:48
