型号：SI4401BDY-T1-E3-VB丝印：VBA2412品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-40V- 最大持续电流：-11A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：13m
2023-12-21 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### SI4890BDY-T1-VB MOSFET 产品简介SI4890BDY-T1-VB 是一款高性能、低导通电阻的单极N沟道MOSFET，采用SOP8封装，专为低电压、高效能的开关应用而设
2025-09-06 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### SI4832BDY-T1-E3-VB MOSFET 产品简介SI4832BDY-T1-E3-VB 是一款 **N通道** MOSFET，采用 **SOP8** 封装，采用 **Trench
2025-09-06 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. **产品简介**SI4410BDY-VB 是一款单 N-Channel MOSFET，采用 SOP8 封装，专为低电压、高效能应用而设计。该 MOSFET 的最大漏源电压（VDS）为
2025-09-06 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：** SI4420BDY-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于高效能功率管理和开关应用。该器件具有低RDS(ON)，支持30V的漏极-源极电压（VDS
2025-09-06 14:00 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SI4425BDY-T1-E3-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：- P沟道- 最大耐压：-30V- 最大电流：-11A- 静态导通电阻：10mΩ @ 10V, 13m
2023-12-20 11:46 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号：SI4831BDY-T1-GE3-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：- 2个P-Channel沟道- 最大耐压：-30V- 最大持续电流：-7A- 导通电阻：35mΩ@VGS
2024-04-07 11:59 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：SI9407BDY-T1-GE3-VB丝印：VBA2658品牌：VBsemi参数说明：- **P沟道：** 该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如
2023-12-18 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 **SI9410BDY-T1-VB** 是一款单 N-Channel MOSFET，采用 SOP8 封装，具有 30V 的漏源电压（VDS）和高达 13A 的漏极电流
2025-09-06 16:55 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品型号：** SI4435BDY-T1-E3-VB**丝印：** VBA2317**品牌：** VBsemi**参数：**- 封装：SOP8- 沟道类型：P—Channel- 额定电压
2024-02-19 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
