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型号：AP<b class='flag-s-7'>1203</b>GM-VB 品牌：微碧

### AP1203GM-VB MOSFET 产品概述AP1203GM-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，设计用于低电压高电流应用。具有低导通电阻和高效能特性，适合要求

2024-12-16 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>1203</b>GMT-VB 品牌：微碧

### AP1203GMT-VB 产品简介AP1203GMT-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为DFN8(5X6)，采用沟槽工艺技术。该器件具有低导通电阻和高漏源极电流能力，适合需要

2024-12-16 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：D<b class='flag-s-7'>1203</b>UK 品牌：

D1203UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。D1203UK特征简化的放大器设计适用于宽带应用低温RSS简单的偏置电路低噪声高增益 – 最小 16 dB 

2022-06-27 21:45 立年电子科技 企业号

型号：P<b class='flag-s-7'>1203</b>ED-VB 品牌：微碧

根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 P1203ED-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** P1203ED-VB**丝印：** VBE2311**品牌：** VBsemi

2023-12-18 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CHV<b class='flag-s-7'>1203</b>-FAB 品牌：

CHV1203 -FAB是一款低相位噪声 S 波段 HBT 压控振荡器，集成了负电阻、变容二极管和缓冲放大器。它在 100kHz 偏移时提供 108dBc/Hz 的出色相位噪声。它设计用于

2023-08-10 11:32 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>1203</b>GH-VB 品牌：微碧

### 产品简介：1203GH-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS）、1.7V的阈值电压（Vth）、9m

2024-07-05 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：P<b class='flag-s-7'>1203</b>BVA-VB 品牌：微碧

### 产品简介P1203BVA是一款高效的N-Channel MOSFET，采用SOP8封装，设计用于低电压和高电流应用。其最大漏源电压为30V，适合在各种电子设备中实现高效开关控制。凭借其优越

2025-09-05 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：P<b class='flag-s-7'>1203</b>BD8-VB 品牌：微碧

### P1203BD8-VB 产品简介P1203BD8-VB是一款高效能N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低电压和高电流应用而设计。其漏源电压（VDS）为30V，栅源电压（VGS）可承受

2025-10-16 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：CHV<b class='flag-s-7'>1203</b>a98F 品牌：

CHV1203a98F是一款低相位噪声S波段HBT压控振荡器，集成了负电阻、变容二极管和缓冲放大器。它在 100kHz 偏移时提供 108dBc/Hz 的出色相位噪声。它设计用于广泛的应用，从太空

2023-08-10 11:35 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：P<b class='flag-s-7'>1203</b>EV-VB 品牌：微碧

**产品型号：** P1203EV-VB  **丝印：** VBA2311  **品牌：** VBsemi  **参数：**  - P—Channel沟道

2024-04-02 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号