的专利 AlGaAs PIN 二极管 MMIC 工艺在半绝缘 GaAs 基板上制造。该器件采用氮化硅完全钝化，并具有额外的 BCB 层以保护划痕。这种保护涂层可防
2022-11-10 15:53 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
开关，采用 MACOM 的专利 AlGaAs PIN 二极管 MMIC 工艺在半绝缘 GaAs 基板上制造。该器件采用氮化硅完全钝化，并具有额外的 BCB 层以保
2023-04-18 16:39 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
SP3T 开关，采用 MACOM 的专利 AlGaAs PIN 二极管 MMIC 工艺在半绝缘 GaAs 基板上制造。该器件已用氮化硅完全钝化，并具有额外的 BCB
2023-04-18 16:22 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
设计用于广泛的应用，从商业到太空通信系统。它采用 pHEMT 工艺、0.1μm 栅极长度、穿过基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻技术制造，并可采用具有 BCB 层保护
2023-08-09 17:32 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
QFN封装。该器件包括片内ESD保护结构和DC旁路电容，以简化封装器件的实现和批量组装。该器件采用0.5微米GaAs PHEMT器件技术制造，采用BCB晶圆涂层
2024-10-22 14:50 深圳芯领航科技有限公司 企业号
，开关速度为 20 ns。该器件采用氮化硅完全钝化，并具有额外的 BCB 层以保护划痕。这种保护涂层可防止在自动或手动处理过程中损坏电路。该开关是在半绝缘 GaAs
2022-08-26 11:55 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
雷达和工业传感器。该电路采用 BES MMIC 工艺制造：1 µm 极高 Ft 肖特基二极管器件、空气桥、穿过基板的通孔。它采用芯片形式，具有 BCB 顶层保护。&
2023-08-10 11:12 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
