AON6884，规格书， 设计方案，使用方法，AOS/万代，40V双N沟道MOSFET 一般说明,AON6884采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供优异的RDS（ON）。这是一个适用于大范围
2023-10-24 15:03 深圳市金和信科技有限公司 企业号
特点AON7296采用沟槽MOSFET技术独特优化，提供最高效的高频率切换性能。传导和由于RDS（ON）、Ciss和Coss的组合极低。该设备非常适合升压转换器和同步用于消费类、电信、工业电源的整流器LED背光
2025-02-17 10:41 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
特点AO6608结合了先进的沟槽MOSFET采用低电阻封装技术，提供极低的RDS（ON）。该设备非常适合负载开关和电池保护应用。•符合RoHS和无卤素标准
2025-02-11 11:39 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
特点•底源技术•极低RDS（ON）•低栅极电荷•高电流能力•RoHS和无卤素合规OE6930 DFN 5x6E磁带和卷轴3000•计算机、服务器和POL中的DC/DC转换器•电信和工业中的非隔离DC/DC转换器
2024-04-07 15:05 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
特点AOZ2153PQI-04是一款高效、易用的DC/DC同步降压调节器，工作电压高达28V。该设备能够提供8A的连续功率输出电流，输出电压可调至0.8V±1%。AOZ2153PQI-04集成了内部线性调节器从输入端产生5.3V VCC。如果输入电压低于5.3V，线性调节器工作在低压降输出模式下，VCC电压为等于输入电压减去下降的输出电压内部线性调节器。具有
2025-02-17 10:45 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
特点述AON7410采用先进的沟槽技术和设计，提供低栅极电荷的优秀RDS（ON）。该设备适用于DC-DC转换器和LoadSwitch应用。符合RoHS和无卤素标准功能VDS（V）=30VID=24A（VGS=10V）RDS（ON）
2024-04-08 17:35 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
特点最新先进的沟槽技术-30V•低RDS（ON）•高电流能力•符合RoHS和无卤素标准交流负载开关•电池保护充电/放电描述A.RθJA的值是用安装在1in2 FR-4板上的装置测量的，带有2oz。铜，在TA=25°C的静止空气环境中。任何给定应用程序中的值取决于用户的特定板设计。B.功率耗散PD基于TJ（MAX）=150°C，使用≤10s结到环境热阻。C.重
2024-04-08 18:06 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
