IRFL9014TRPBF (VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装
2023-12-08 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介IRFR9014NTRL-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，封装形式为TO-252。该MOSFET设计用于提供高效的开关性能和低导通电阻，特别适用于高电压和高电流的应用场
2025-09-25 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
产品简介：FL9014-VB是VBsemi生产的一款P-Channel沟道场效应管。该器件具有-60V的漏极-源极电压承受能力和-6.5A的漏极电流能力。其导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时为
2024-05-31 17:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRFR9014TRR-VB MOSFET 产品简介IRFR9014TRR-VB 是一款**P-Channel MOSFET**，设计用于高功率开关应用。它采用了**Trench 技术
2025-09-25 17:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IRFR9014N-VB产品简介IRFR9014N-VB 是一款高性能P沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有优异的开关特性和低导通电阻。它的最大漏源电压（VDS）为-60V
2025-09-25 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**SFM9014-NL-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管，具有单个P沟道。该晶体管适用于低功率电子应用，采用SOT223封装，具有良好的热特性。具有-60V的漏极-源极电压
2024-06-14 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi P-Channel MOSFET SIHFL9014T-E3-VB**- **丝印：** VBJ2658- **品牌：** VBsemi- **参数：** - P
2024-06-14 15:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介：IRFR9014NTRPBF-VB是一款P沟道功率MOSFET，封装为TO252。该器件采用先进的Trench技术，具备较高的电流能力和低导通电阻，适用于高效能的电源管理
2025-09-25 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
适用范围广泛适用于电厂及制造企业10-14米厂房、场馆、货场、仓库等场所作固定照明使用。性能特点采用LED光源，230W可替换400W金卤灯，节能效果40%以上。冷白、暖白两种配置可供选择，适合不同场所的照明需要。采用LED3030贴片灯珠，带透镜加灯罩，光效高。驱动电路效率达到0.95以上，更节能，采用胶封设计，防水、防潮、抗振效果好。阵列型散热结构设计，
2025-12-20 12:29 乐清市大浪电器有限公司 企业号
88 W，小信号增益 18 dB。标签：模具，芯片。CHK9013-99F 的更多细节可以在下面看到。CHK9013-99F 和 CHK9014-99F 晶体管UM
2022-09-02 11:07 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
