### SiHFI740G-VB 产品简介SiHFI740G-VB 是一款高性能的 N 通道功率 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为中高电压应用设计，具有极低的导通电阻和优秀的开关性能。其
2025-09-17 14:41 微碧半导体VBsemi 企业号
**SiHFI740GLC-VB MOSFET 产品简介**SiHFI740GLC-VB 是一款高耐压N沟道MOSFET，采用TO220F封装，具有650V的最大漏极源极电压（VDS），适用于高电压
2025-09-17 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：IRFI740GLCPBF-VBIRFI740GLCPBF-VB 是一款封装为TO220F的单N沟道MOSFET，专为高电压应用设计。其最大漏源极电压达到650V，能够承受较高
2025-09-09 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
09N90W-VB是VBsemi推出的TO3P封装单路N沟道MOSFET产品。以下是该产品的详细参数说明：- **包装：** TO3P- **配置：** 单路N沟道- **漏极-源极电压（VDS
2024-07-04 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介IRFI740GPBF-VB 是一款高电压单 N 沟道功率 MOSFET，封装形式为 TO220F。它设计用于需要高电压的应用，具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 12A
2025-09-09 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
TP740无纸记录仪支持温度、湿度、电流、电压、压力、液位、流量、位移等同时测试，采用简约外观设计，轻便易用，可无线远传至电脑IE&手机微信监控。应用领域：TP740无纸记录仪广泛应用于工业电炉
2021-11-20 15:23 深圳市拓普瑞电子有限公司 企业号
### 一、产品简介IRC740-VB 是一款采用 TO220 封装的单 N-沟道 MOSFET，专为高电压应用设计。其最大漏源电压 VDS 高达 650V，使其适合用于高压电路中。该 MOSFET
2025-09-02 16:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**2SK740-VB**是一款由VBsemi生产的N沟道功率MOSFET，采用TO220封装。它适用于各种高效能电力管理应用，特别是在需要高开关频率和低导通电阻的场合。该
2024-11-04 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC740是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装，可用作级联50 Ω RF或IF增益级
2022-12-30 10:47 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
