VTN系列多通道采集仪硬件接口电源接口 工作电源 POW VTN4XX 可自动适应 DC8~24V 的宽电压电源，最大电流消耗约 500mA，推荐使用输出能力大于 1A 的电源 为设备供电。工作电源
2022-11-04 16:58
或Φ5mm的普通发光二极管 UR选用2A、50V的整流桥堆。 VT1～VTn均选用耐压值为400V以上的双向晶闸管，其额定电流应为负载（电热器）电流的1.5倍以上。 IC选用78H12型三端
2008-11-07 21:51
工程安全自动化监测
2022-06-14 10:41
多通道振弦、温度、模拟传感信号采集仪.
2022-05-18 10:17
电压(VTN = VN + VNS)可能在 100 mV 至 800 mV 之间。将 VTN 添加至标称信号中，以生成总信号电压(VTSIG)：实际的总信号(VTSIG = VTSIG + VTN)会
2020-10-13 09:20
V CMOS VTH = 0.81 V）。开关噪声(VNS)可能为几十毫伏到几百毫伏。此外，逻辑电路本身也会产生信号噪声(VN)，即干扰噪声。总噪声电压(VTN = VN + VNS)可能在100
2020-09-27 10:57
)可能为几十毫伏到几百毫伏。此外，逻辑电路本身也会产生信号噪声(VN)，即干扰噪声。总噪声电压(VTN = VN + VNS)可能在100 mV至800 mV之间。将VTN添加至标称信号中，以生成总信号
2021-02-04 09:15
重掺杂的多晶硅来代替铝做为MOS管的栅电极，使MOS电路特性得到很大改善，它使VTP下降1.1V，也容易获得合适的VTN值并能提高开关速度和集成度。 硅栅工艺具有自对准作用，这是由于硅具有耐高温的性质
2012-12-10 21:37
重掺杂的多晶硅来代替铝做为MOS管的栅电极，使MOS电路特性得到很大改善，它使VTP下降1.1V，也容易获得合适的VTN值并能提高开关速度和集成度。 硅栅工艺具有自对准作用，这是由于硅具有耐高温的性质
2012-01-06 22:55
放电流为： 由 得功率管和限流管的电流关系： 式中， VTP 和VTN 分别是P 型管和N 型管阈值电压， M 为N 型功率管的并联数。 通过设置NHV 和MP6 宽长比、功率管的并联个数
2011-09-20 10:42
