氮化镓电源芯片U8727AHE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41
具有温度补偿功能的IR35411内部MOSFET电流检测算法与基于一流控制器的电感器DCR检测方法相比，它提供了出众的电流检测精度。相关的保护包括具有可编程阈值的周期循环OCP、VCC/VDRV UVLO保护、相位故障检测、IC温度报告以及热关断。
2019-09-24 16:19
利用仿真技术验证了由于源极LSource生成反电动势VLS，通过MOSFET的电压并不等于全部的驱动电压VDRV。MOSFET导通时3引脚封装的反电动势VLS、栅极-源极VGS波形如下图所示。图中用圆圈突出显示的部分是LSource的实际电压。
2018-03-30 16:21
快充电源芯片U876X产品型号有U8765/U8766，推荐最大输出功率分别为65W/100W，集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。
2025-02-10 15:56
PD快充芯片U8722AH集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值6.2V)。EMI性能
2025-07-07 16:41
PD快充芯片U8722BAS集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值6.2V)。EMI
2025-08-12 17:51
开关电源芯片U8608集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.25V)。EMI
2024-08-21 18:14
