在公司看了一下AD6674的手册，其中有一个VDR的功能，是做DPD的时候用的，但是不明白为什么这种功能的好处是什么？ 降低了有效位数，减小了动态范围，是为了换取更大的带宽吗？ Thank you!另外在官网上还没有上传AD6674的手册，可以麻烦发送一份吗？
2018-12-19 09:08
这个会影响输出的垂直序列配置2. 这里的VDR_EN我是用单片机的IO口驱动的，而不是用AD自带的GPO功能，从示波器上看，上升沿给出后确实在V1脚能测到有东西出来，但不确定是否可行3. 之前我给
2018-10-30 09:16
2017-06-10 14:30
如题
2016-08-10 15:52
压敏电阻不是限压作用吗？一个420V的压敏电阻我加460V的电压，怎么测量其两脚的电压还是460V，并没有限压到420V啊，想问下压敏电阻是如何工作保护电路的。 还有布线的先后顺序有差别吗，例如芯片电源的去耦电容，先将线连接到芯片管脚再到去耦电容 与 先到去耦电容再到芯片管脚有什么差别。
2011-10-10 10:56
STM32外扩SRAM芯片IS62wv51216兼容替换
2021-01-04 07:55
165孤儿VDDIO.Y 6。VDR1V8和VDD1V8的100欧姆电感器背后的原因是什么？7。如何管理1.8V电源，接地平面与引线，因为我希望这将工作在4层，但不想妥协，如果EMC不能工作。是的
2019-03-14 17:53
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率MOSFET技术的过程中，以往常见以QG和QGD(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)为基础的因子(FOM)已无法满足需求，若坚持采用固定因子，将可能导致技术选择无法达成优化。通过此次分析的启示，工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念，是DC-DC转换器的理想选择；相较于横向和分裂闸极沟槽MOSFET等竞争技术，该技术可同时提供特定的低RDS(on)、QG、QGD、QOSS和高度闸极回跳抑制。
2019-07-04 06:22
驻波比（VSWR）是用来测量射频电路中阻抗失配度的指标。驻波比过大会将会影响通信距离，降低信息传输的质量，并且会导致射频电路出现一系列问题。位于天线前端的功率放大器是对驻波恶化最为敏感的部件，反射功率返回到功率放大器中，情况严重时可导致高功率放大器造成永久性损坏，我们通常称之为驻波失效。在这种情况出现时，对高功率放大器进行有效的保护是十分重要的。沿着传输线传输的电压和电流是通过某特定比值联系起来的，这个特定比值称之为特性阻抗Z0。当功率放大器输出端接有与传输线特性阻抗相等的负载时，射频能量将全部传送到负载上，而阻抗失配将导致驻波的产生。当阻抗失配时，入射波电压与反射波电压相叠加，在传输路径上将产生电压的最大值Vmax和最小值Vmin，定义Vmax/Vmin为电压驻波比VSWR。我们知道：如果反射系数已知，就可以计算出驻波比：这里Vi是入射波电压，Vr为反射波电压，Z0为特性阻抗，Z1为负载阻抗。反射系数由此看来，功率放大器驻波比的测量与保护的问题最终可以归结为功率放大器输出端正、反向功率检测，以及使用合适的电路方案实现对功放部件实施保护的问题。
2019-06-21 06:09
压敏电阻的原理压敏电阻的作用压敏电阻的标称参数压敏电阻的降额特性压敏电阻的测量压敏电阻的选型压敏电阻使用时的注意事项
2021-03-16 10:52
